Abkürzung für: Rasterelektronenmikroskopie (engl.: SEM = Scanning electron microscopy).

Mit Hilfe eines Elektronenstrahles wird die Oberfläche der zu untersuchenden Probe abgerastert. Das hierbei entstehende Signal wird zur Darstellung der Topographie der Probe benutzt.

Beim Auftreffen des Elektronenstrahls werden jedoch auch einige Elektronen reflektiert bzw. rückgestreut. Diese Elektronen können zur Anfertigung von sog. Rückstreuelektronenbildern (BSE-Bildern) verwendet werden (BSE)
Des Weiteren entsteht Röntgenstrahlung die zur chemischen Analyse der vom Elektronenstrahl abgerasterten Bereiche verwendet werden kann (REM/EDX, REM/WDX)

Auf diese Weise kann die Oberfläche eines Materials Punkt für Punkt abgerastert werden und für jeden Punkt die chemische Zusammensetzung ermittelt werden (Element mapping; Line scan)
Mittels hochauflösendem REM können auch Strukturen im Nanometerbereich visuell dargestellt werden (HREM)

Typische Anwendungen:

• Dokumentation und Analyse der Topographie von Oberflächen wie z.B. Riefen oder Kratzer in polierten Oberflächen
• Dokumentation und Analyse der Topographie von Bruchflächen mit dem Ziel, die Bruchursache zu ermitteln. Bruchursache können beispielsweise Einschlüsse oder Poren sein, die mittels REM sichtbar werden.
• Wurde ein Bruch durch Wasserstoffversprödung ausgelöst, so können häufig bei Analyse der Bruchoberfläche die für diesen Versagensfall typischen Merkmale (klaffende Korngrenzen, Krähenfüße und charakteristische Porenbildung) erkannt werden (Wasserstoffversprödung)

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